Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMZA65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMZA65R030M1
IMZA65R030M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMZA65R030M1HXKSA1, N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayanan bir güç MOSFETidir. 650V Vdss ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 53A sürekli dren akımı kapasitesi ve 42mΩ maksimum RDS(On) değeri ile anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde düşük kayıp işletme sağlar. Silikondan farklı olarak SiC teknolojisinin hızlı anahtarlama yetenekleri sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda verimli çalışır. TO-247-4 paket tipi ile endüstriyel, otomotiv ve yenilenebilir enerji sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1643 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 197W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 29.5A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -2V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 8.8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok