Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMZ120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMZ120R220M1HXKSA1
IMZ120R220M1HXKSA1 Hakkında
IMZ120R220M1HXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2kV N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. TO-247-4 paketlemesinde sunulan bu bileşen, 13A sürekli drenaj akımı ve 220mΩ maksimum RDS(on) direnci ile yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. SiC teknolojisinin düşük kayıp özellikleri sayesinde verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 289 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 4A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-1 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok