Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMZ120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMZ120R140M1
IMZ120R140M1HXKSA1 Hakkında
IMZ120R140M1HXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 19A sürekli dren akımı ve 182mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Gate charge 13nC, input capacitance 454pF ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Yüksek gerilim güç dönüştürme, inverter devreleri, elektrik araç şarj sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 94W güç harcaması ile verimli termal yönetim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 6A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-1 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok