Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMZ120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMZ120R090M1
IMZ120R090M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IMZ120R090M1HXKSA1, SiC teknolojili (Silicon Carbide) N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim (Vdss) ve 26A sürekli dren akımı (Tc) kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 117mOhm on-direnci (Rds On) ile verimli güç iletimini sağlar. 15V/18V drive voltajında çalışan bu bileşen, TO-247-4 kütüphanesinde montajlanan through-hole türü pakette sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, fotovoltaik invertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 115W maksimum güç harcaması ve 21nC gate charge ile kontrol devreleri için uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 707 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-1 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok