Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMZ120R060M1H
IMZ120R060M1HXKSA1 Hakkında
IMZ120R060M1HXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V N-channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistörüdür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, 36A sürekli drenaj akımına ve 78mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, inverter devrelerde ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama karakteristiği sunan bu transistör, verimliliği artıran ve ısı yönetimini kolaylaştıran uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-1 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok