Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMZ120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMZ120R045M1
IMZ120R045M1XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMZ120R045M1XKSA1, 1200V / 52A kapasitesine sahip Silicon Carbide (SiCFET) N-Channel MOSFET'tir. TO-247-4 paketinde sunulan bu transistör, entegre akım algılama özelliği ile donatılmıştır. 59mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 228W maksimum güç tüketimiyle, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, invertörler, solar enerji sistemleri ve elektrik araçları gibi uygulamalarda tercih edilir. SiC teknolojisinin sağladığı düşük kayıplar ve hızlı anahtarlama özellikleriyle, enerji verimliliğinin kritik olduğu sistemlerde önemli rol oynar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Feature | Current Sensing |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 228W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-1 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok