Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMW65R083M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMW65R083M1H
IMW65R083M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IMW65R083M1HXKSA1, 650V 24A SiCFET teknolojisine dayanan N-Channel Silicon Carbide MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 111mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük konaklaşma kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 104W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 18V drive voltajında 19nC gate charge ve 624pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özelliği taşır. Enerji dönüşüm uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel inverter sistemlerinde kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde geleneksel silikon MOSFET'lere kıyasla daha düşük kayıplar ve daha yüksek verimlilik sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 624 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 11.2A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -2V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok