Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMW65R030M1H
IMW65R030M1HXKSA1 Hakkında
IMW65R030M1HXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 58A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 42mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklıkta, yüksek frekansta anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, invertörler ve dc-dc dönüştürücülerde tercih edilir. 197W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1643 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 197W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 29.5A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -2V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 8.8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok