Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMW120R350M1H
IMW120R350M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1, Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-kanal MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim, 4.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 455mΩ maksimum kanal direnci ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 60W güç dissipasyonuna kadar dayanabilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük gate charge (5.3nC) ve input capacitance (182pF) değerleri hızlı anahtarlamayı destekler. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 182 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok