Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMW120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMW120R220M1H
IMW120R220M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMW120R220M1HXKSA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 286mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp özelliği sunmaktadır. TO-247-3 paketinde sağlanan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, şarj cihazları, endüstriyel invertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 8.5nC olup, hızlı anahtarlamaya olanak tanır. 75W maksimum güç tüketimi ile termal yönetim açısından optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 289 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 286mOhm @ 4A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok