Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMW120R090M1
IMW120R090M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMW120R090M1HXKSA1, 1.2kV drain-source gerilim ile çalışabilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide FET) transistörüdür. 26A sürekli drain akımı kapasitesi ve 117mΩ maksimum Rds(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde gelen bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate charge 21nC ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile güç elektroniği, endüstriyel sürücüler, renewable energy sistemleri ve EV konverterlerinde kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve soğutma gereksinimleri azaltılmış tasarımlar sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 707 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok