Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMW120R060M1H
IMW120R060M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMW120R060M1HXKSA1, 1.2kV dayanıma sahip N-Channel SiCFET transistördür. 36A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-247-3 paket tipi ile montajlanır. 78mOhm maksimum RdsOn direnci, düşük güç kaybı ile tasarlanmıştır. Endüstriyel inverter, UPS, solar converters ve motor kontrol devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde daha hızlı anahtarlama ve verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok