Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMW120R045M1
IMW120R045M1XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMW120R045M1XKSA1, 1.2kV drain-source voltaj ile çalışabilen bir SiCFET (Silicon Carbide) N-channel MOSFET'tir. 52A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 59mΩ maksimum on-direnci ve 52nC gate charge değerleriyle güç dönüşüm uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu komponent, enerji yönetimi, endüstriyel motor kontrolü ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Silicon carbide teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve yüksek sıcaklıkta güvenilir performans sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 228W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok