Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMW120R030M1
IMW120R030M1HXKSA1 Hakkında
Infineon IMW120R030M1HXKSA1, 1.2kV SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisinde üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 56A sürekli dren akımı kapasitesi ve 40mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, inverter tasarımları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, 227W maksimum güç kaybı kapasitesi ve 63nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Otomotiv, yenilenebilir enerji ve çevirici sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2120 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 25A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok