Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMBG120R350M1
IMBG120R350M1HXTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMBG120R350M1HXTMA1, 1200V drain-source voltaj kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET'tir. 4.7A sürekli drain akımı ve 468mOhm RDS(on) değeri ile orta güç seviyesi anahtarlama devrelerinde kullanılır. TO-263-8 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverterler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 65W maksimum güç yayınıyla endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.9 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 196 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 468mOhm @ 2A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-12 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +18V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok