Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMBG120R090M1
IMBG120R090M1HXTMA1 Hakkında
IMBG120R090M1HXTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET'tir. 1200V drain-source voltaj ve 26A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarına uygundur. 125mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel invertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve güç elektronik sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 136W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 763 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.5A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-12 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +18V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok