Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMBG120R060M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMBG120R060M1H
IMBG120R060M1HXTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMBG120R060M1HXTMA1, 1.2 kV drain-source gerilimi ve 36 A sürekli drenaj akımı kapasitesi olan SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı N-kanallı MOSFET'tir. TO-263-8 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sunulmakta olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 83 mOhm maksimum on-direnci (Rds(on)) ile güç kaybı minimize edilen bu transistör, endüstriyel değiştirici uygulamaları, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. SiC teknolojisinin avantajları sayesinde daha yüksek sıcaklık ve sıklıkta verimli çalışma sağlar. 181 W maksimum güç saçınımı kapasitesi ile ağır yükleme koşullarına uygunluğunun göstergesidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1145 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 181W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 13A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-12 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +18V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok