Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMBF170R450M1XTMA1
IMBF170R450M1XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMBF170R450M1XTMA1, SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayanan yüksek voltajlı N-Channel MOSFET transistördür. 1700V drain-source gerilim kapasitesi ve 9.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 450mΩ on-resistance (RDS(on)) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. Gate kapasitesi (Ciss) 610pF olup, 11nC gate charge ile hızlı komütasyon performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında güvenilir çalışır. TO-263-8 (D²Pak) paket tipi ile yüksek ısı dağılımı sağlar. 107W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel, enerji dönüşümü ve güç şebekesi uygulamalarında kullanılır. Özellikle AC-DC konvertörleri, PFC devreleri ve motor sürücülerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V, 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 2A, 15V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-13 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok