Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGT60R190D1
IGT60R190D1SATMA1 Hakkında
IGT60R190D1SATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 12.5A sürekli dren akımı özelliğiyle, güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 55.5W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle anahtarlama, inverter ve boost converter devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 8-pin PowerSFN yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Düşük input kapasitansı (157 pF @ 400V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uyundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55.5W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-3 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok