Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IGT60R070D1ATMA4
GANFET N-CH
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGT60R070D1
IGT60R070D1ATMA4 Hakkında
IGT60R070D1ATMA4, Infineon Technologies tarafından üretilen GaNFET (Gallium Nitride) tabanlı N-channel enhancement mode transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 31A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanan cihaz, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük input kapasitansı (380pF) sayesinde hızlı komütasyon özelliği gösterir. Güç kaynakları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Surface mount 8-PowerSFN paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-3 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok