Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IGT60R070D1ATMA1
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGT60R070D1
IGT60R070D1ATMA1 Hakkında
IGT60R070D1ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 31A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 380 pF giriş kapasitansı ve 125W maksimum güç dağılımı ile güç dönüşüm devrelerinde, şarj cihazları, invertörler ve endüstriyel motor sürücülerinde uygulanabilir. Surface mount paketi (8-PowerSFN) ile PCB tasarımlarında yoğun entegrasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, uzun ömürlü ve güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-3 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok