Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IGT40R070D1E8220ATMA1

MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3

Paket/Kılıf
8-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
IGT40R070D1

IGT40R070D1E8220ATMA1 Hakkında

IGT40R070D1E8220ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 400V drain-source geriliminde 31A sürekli drenaj akımı sağlayarak, anahtarlama uygulamalarında yüksek güç yönetimi gerektiren devrelerde kullanılır. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrolü, switched-mode güç kaynakları (SMPS) ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir. 8-pin HSOF-3 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımları destekler. 0°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Vgs(th) 1.6V ile düşük gate sürüş gerilimi gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 382 pF @ 320 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Supplier Device Package PG-HSOF-8-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok