Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IGOT60R070D1AUMA3
GANFET N-CH
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-20-87
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGOT60R070D1
IGOT60R070D1AUMA3 Hakkında
IGOT60R070D1AUMA3, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistördür. 600V Drain to Source gerilimi ve 31A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. GaN teknolojisi sayesinde düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar. SMPS (Switched Mode Power Supply), güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 125W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-20-87 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok