IGOT60R070D1AUMA1

Infineon Technologies tarafından üretilen IGOT60R070D1AUMA1, 600V drain-source gerilimi ve 31A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bir GaNFET (Gallium Nitride FET) transistördür. N-kanal tipi bu bileşen, yüksek anahtarlama hızı ve düşük gate şarj gereksinimi gibi GaN teknolojisinin avantajlarını sunmaktadır. Surface Mount PG-DSO-20-87 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışmakta ve maksimum 125W güç dağıtabilmektedir. Enerji dönüştürme uygulamaları, güç kaynakları, solar invertörleri ve endüstriyel motor sürücüleri gibi yüksek verimlilik gerektiren sistemlerde kullanılmaktadır. Çok düşük 1.6V eşik voltajı ve 380pF input kapasitansı ile hızlı ve verimli anahtarlama performansı sağlamaktadır. Bileşen üretim durdurulmuş olup, mevcut stoklar sınırlıdır.