Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IGO60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-20-85
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGO60R070D1
IGO60R070D1AUMA1 Hakkında
IGO60R070D1AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 125W güç tüketimine sahip bu bileşen, güç dönüştürme, anahtarlama ve RF uygulamalarında tercih edilir. 380pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount PG-DSO-20 paketinde sunulan bu komponent endüstriyel ve enerji verimliliği gerektiren sistemlerde uygulanabilir. (Not: Üretici tarafından kullanım dışı bırakılmıştır)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-20-85 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok