Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IGLD60R190D1SAUMA1
GAN HV PG-LSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGLD60R190D1
IGLD60R190D1SAUMA1 Hakkında
IGLD60R190D1SAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel GaN MOSFET transistördür. GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisinde tasarlanan bu komponent, düşük anahtarlama kayıpları ve yüksek anahtarlama frekansı özelliği ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 62.5W maksimum güç tüketimi ile şu alanlarda tercih edilir: DC-DC konvertörler, güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları. 157 pF giriş kapasitansi ve 1.6V gate eşik gerilimi ile hızlı ve verimli komütasyon sağlar. PG-LSON-8 yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-LSON-8-1 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok