Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IGLD60R070D1AUMA3
GANFET N-CH
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGLD60R070D1
IGLD60R070D1AUMA3 Hakkında
IGLD60R070D1AUMA3, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistördür. 600V Drain-Source geriliminde çalışabilen bu bileşen, 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. GaNFET teknolojisinin avantajlarından yararlanan bu transistör, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde ve verimli güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 8-LDFN SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük input kapasitansı ve hızlı anahtarlama özelliği sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-LSON-8-1 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok