Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IGLD60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IGLD60R070D1
IGLD60R070D1AUMA1 Hakkında
IGLD60R070D1AUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisinde bir güç transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-LDFN Exposed Pad paketlemesi ile yüzey montajı uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 114W güç dağıtabilir. Düşük input kapasitesi (380pF @ 400V) ve 1.6V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç dönüştürme, DC-DC konvertörleri, inverterler ve yüksek frekanslı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-LSON-8-1 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok