Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUZ40N10S5N130ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUZ40N10S5N130
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ40N10S5N130ATMA1, 100V drain-source gerilim ve 40A sürekli drain akımı özellikleriyle tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 13mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. 8-PowerTDFN paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılmaya uygundur. Gate charge 24nC olması hızlı komutasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 68W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1525 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 27µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok