Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUZ40N10S5L120ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUZ40N10S5L120A
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ40N10S5L120ATMA1, 100V drain-source voltaj ile çalışan N-Channel MOSFET'tir. 46A sürekli drain akımı kapasitesi ve 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. PG-TSDSON-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge değeri 22.6nC ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında işletim yapılabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, PWM kontrolü gerektiren uygulamalarda ve yüksek akımlı anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1589 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 27µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok