Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUZ40N08S5N100ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUZ40N08S5N100
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ40N08S5N100ATMA1, N-kanal MOSFET transistörüdür. 80V maksimum drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ve 8-PowerTDFN paket tipi ile kompakt tasarım sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüşüm devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 68W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1591 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 27µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok