Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUZ40N06S5N105ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUZ40N06S5N105A
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ40N06S5N105ATMA1, 60V drain-source gerilim derecelendirmesine sahip N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)'tir. 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve doğrultucu uygulamalarında kullanılır. 10.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli enerji transferi sağlar. PG-TSDSON-8 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve oto elektrik uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge karakteristiği (16.3nC @ 10V) hızlı anahtarlama olanağı tanır. Motor kontrol, şarj devreleri ve DC-DC konvertör tasarımlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1099 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-32 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok