Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUZ40N06S5N050ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUZ40N06S5N050
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ40N06S5N050ATMA1, 60V drain-source voltaj ve 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TSDSON-8-33 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 5mΩ düşük on-state direnci (Rds(on)) sayesinde güç uygulamalarında minimal enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dağıtım yönetimi ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 71W maksimum güç disipasyonu ve 30.5nC gate charge karakteristiği ile hızlı komütasyon performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.2 nF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 29µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok