Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUZ40N06S5L050ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ40N06S5L050ATMA1, 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. PG-TSDSON-8 yüzey montaj paketiyle tasarlanan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 36.7nC gate charge ve 2500pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 29µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok