Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUZ30N10S5L240ATMA1

MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUZ30N10S5L240

IAUZ30N10S5L240ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ30N10S5L240ATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 24mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN pakajında sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 45.5W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde optimize edilmiş 14nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 832 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-32
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok