Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUZ30N08S5N186ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUZ30N08S5N186ATMA1
IAUZ30N08S5N186ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ30N08S5N186ATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 30A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. PG-TSDSON-8 paketinde sunulan bu bileşen, 18.6mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 41W güç dağılımına dayanabilen bu transistör, güç dönüştürücü uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC konverterlerinde kullanılır. 12.1nC gate charge ve 759pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir. Surface mount teknolojisine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 759 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-32 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok