Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUZ30N06S5L140ATMA1

MOSFET N-CH 60V 30A TSDSON-8-32

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUZ30N06S5L140A

IAUZ30N06S5L140ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ30N06S5L140ATMA1, 60V drain-source geriliminde 30A sürekli drenaj akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN (PG-TSDSON-8-32) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 14mOhm RDS(on) değeri sayesinde güç yönetimi uygulamalarında yüksek verimlilik sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen transistör, anahtarlama hızlı ve güç kaybı düşük tasarımlar için uyygundur. Güç denetimi, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 888 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-32
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok