Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUZ18N10S5L420ATMA1

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUZ18N10S5L420A

IAUZ18N10S5L420ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUZ18N10S5L420ATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 18A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar (switch) ve amplifikasyon görevlerini yerine getirmek için tasarlanmıştır. 42mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TSDSON-8-32 SMD paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve telekom uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-32
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 8µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok