Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUT300N10S5N015ATMA1

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Paket/Kılıf
8-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
IAUT300N10S5N015

IAUT300N10S5N015ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUT300N10S5N015ATMA1, 100V drain-source gerilim ve 300A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 1.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç karakteristiği sunar. Surface mount 8-PowerSFN paketi ile yüksek güç yoğunluğu uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar ve 375W maksimum güç dağıtabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, endüstriyel kontrol sistemleri ve yüksek akım uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16011 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-HSOF-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok