Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUT300N10S5N014ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUT300N10S5N014ATMA1
IAUT300N10S5N014ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUT300N10S5N014ATMA1, 100V drain-source voltaj desteği ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 360A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 1.4mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük kayıp ve verimli işletme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. PG-HSOF-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. Enerji yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 375W maksimum güç kaybı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 360A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 216 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16011 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok