Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUT260N10S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUT260N10S5N019ATMA1
IAUT260N10S5N019ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUT260N10S5N019ATMA1, 100V drain-source voltaj kapasitesiyle çalışan N-channel MOSFET transistördür. 260A sürekli dren akımı ve 1.9mΩ (10V, 100A'da) son derece düşük RDS(on) değeri sayesinde endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrollerinde, inverterlerde ve anahtarlama güç kaynaklarında kullanılır. 8-PowerSFN yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, maksimum 300W güç tüketimine karşılık gelir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11830 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok