Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUT200N08S5N023ATMA1
MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUT200N08S5N023
IAUT200N08S5N023ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUT200N08S5N023ATMA1, N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi (Vdss) ve 200A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. 8-PowerSFN SMD paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate threshold voltajı 3.8V olan bu MOSFET, ±20V maksimum gate geriliminde işletilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7670 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok