Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029ATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUT165N08S5N029ATMA2, N-channel MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilimi ve 165A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.9mOhm On-Resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerSFN paketinde sunulan bu komponentin maksimum 167W güç dağılım kapasitesi vardır. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 165A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6370 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok