Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUT150N10S5N035ATMA1
MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUT150N10S5N035ATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 150A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.5mΩ drain-source on-state direnci (10V, 75A koşullarında) düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerSFN pakete sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, inverter devreleri ve motorlar gibi güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 166W güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6110 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 166W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok