Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUS300N10S5N015TATMA1

MOSFET_(75V 120V(

Paket/Kılıf
PG-HDSOP-16-2
Seri / Aile Numarası
IAUS300N10S5N015TATMA1

IAUS300N10S5N015TATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS300N10S5N015TATMA1, 100V Drain-Source gerilimi ve 300A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 1.5mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. 375W güç dissipasyonu ve -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sunar. Surface mount PG-HDSOP-16-2 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.8V threshold gerilimi ile kontrollü anahtarlama özellikleri destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16011 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-HDSOP-16-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok