Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUS300N10S5N014ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUS300N10S5N014ATMA1
IAUS300N10S5N014ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS300N10S5N014ATMA1, 100V drain-source gerilimi ve 360A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. PG-HSOG-8 surface mount paketi ile tasarlanmış, düşük on-state direnci (RDS(on) = 1.4mΩ @ 100A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında güvenilir şekilde işletilir. 375W güç disipasyon kapasitesi ile şarj kontrolleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 216nC gate charge ve hızlı komütasyon özelliği ile verimli PWM tabanlı devre tasarımına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 360A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 216 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16011 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok