Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUS300N08S5N014TATMA1

MOSFET_(75V 120V(

Paket/Kılıf
PG-HDSOP-16-2
Seri / Aile Numarası
IAUS300N08S5N014TATMA1

IAUS300N08S5N014TATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS300N08S5N014TATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 300A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 1.4mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PG-HDSOP-16-2 surface mount paketinde sunulan bu transistör, 6V ve 10V gate drive voltajlarında çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, 300W güç tüketebilir. Yüksek akım uygulamaları, güç dönüştürücüler, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 187nC gate charge ve 13178pF input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama işlemleri için gerekli parametrelerdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13178 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-HDSOP-16-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 230µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok