Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUS300N08S5N014ATMA1

MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
IAUS300N08S5N014ATMA1

IAUS300N08S5N014ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS300N08S5N014ATMA1, 80V drain-source voltaj ve 300A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. HSOG-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 1.4mOhm maksimum on-direnci (10V gate geriliminde, 100A akımda) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 300W maksimum güç dağılım kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 187nC (10V'ta) olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Yüksek akım yönetimi gerektiren güç elektronikleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Ürün Digi-Key'de üretimden kaldırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13178 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSMD, Gull Wing
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-HSOG-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 230µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok