Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUS300N08S5N011TATMA1

MOSFET_(75V 120V(

Paket/Kılıf
PG-HDSOP-16-2
Seri / Aile Numarası
IAUS300N08S5N011

IAUS300N08S5N011TATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS300N08S5N011TATMA1, 80V Drain-Source gerilimi ile çalışan yüksek akım N-Channel MOSFET transistörüdür. 300A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.1mOhm Rds(on) değeri ile düşük enerji kaybında çalışan uygulamalar için tasarlanmıştır. Surface mount PG-HDSOP-16-2 paketi ile entegre edilmiş bu bileşen, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, DC/DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen transistör, 375W güç dağıtımına sahiptir ve 10V gate sürüş geriliminde optimum performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16250 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-HDSOP-16-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok