Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUS300N08S5N011ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUS300N08S5N011
IAUS300N08S5N011ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS300N08S5N011ATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 410A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 1.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 231nC gate charge karakteristiği ile düşük kayıp ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 375W güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. PG-HSOG-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım ve yüksek frekans anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 231 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16250 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok